Galijum arsenid

Galijum arsenid
Nazivi


Preferisani IUPAC naziv Galijum arsenida
Identifikacija
CAS broj	1303-00-0^Y
3D model (Jmol)	interaktivna slika
ChemSpider	14087^Y
ECHA InfoCard	100.013.741
EC broj	215-114-8
MeSH	gallium+arsenide
PubChem^[1]^[2] C ID	14770
RTECS	LW8800000
UN broj	1557

SMILES [Ga-]$[As+]
Svojstva
Hemijska formula	GaAs
Molarna masa	144,645 g mol⁻¹
Agregatno stanje	Tamno crveni, staklasti kristali
Gustina	5,316 g cm⁻³^[3]
Tačka topljenja	1.238 °C; 2.260 °F; 1.511 K
Rastvorljivost u vodi	nerastvoran
Energijska barijera	1.424 eV (na 300 K)
Elektronska mobilnost	8500 cm²/(V·s) (na 300 K)
Toplotna provodljivost	0.55 W/(cm·K) (at 300 K)
Indeks refrakcije (n_D)	3.8^[4]
Struktura
Kristalna rešetka/struktura	Teseralna
Kristalografska grupa	T²_d-F-43m
Konstanta rešetke	a = 565,35 pm
Geometrija molekula	Tetraedralna
Oblik molekula (orbitale i hibridizacija)	Linearan
Opasnosti
Bezbednost prilikom rukovanja	Spoljašnji MSDS
GHS grafikoni
GHS signalna reč	Opasnost
GHS opis opasnosti	H301, H331, H410
GHS mere predostrožnosti	P261, P273, P301+310, P311, P501
EU klasifikacija (DSD)	T N
R-oznake	R23/25, R50/53
S-oznake	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
NFPA 704	1 3 2 W
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje materijala (na 25 °C [77 °F], 100 kPa).
Y verifikuj (šta je ^YН ?)
Reference infokutije

Galijum arsenid (GaAs) je jedinjenje elementa galijuma i arsenika. On je III/V poluprovodnik, i koristi se u proizvodnji uređaja kao što su integrisana kola mikrotalasne frekvencije, monolitna mikrotalasna integrisana kola, infracrvena svetlećih dioda, laserskih dioda, solarnih ćelija i optičkih prozora.

Priprema i hemija

U ovom jedinjenju, galijum ima +3 oksidaciono stanje. Galijum arsenid se može pripremiti direktnom reakcijom iz elementa, što se koristi u brojnim industrijskim procesesima:^[5]

Kristalni rast koristeći peći horizontalne zone u Bridgman-Stokbargerovoj tehnici.
Likvidno enkapsulirani rast se koristi za proizvodnju kristala visoke čistoće.

Alternativne metode za produkciju filmova od GaAs su:^[5]^[6]

VPE reakcija gasovitog galijuma i arsenik trihlorida:

2 Ga + 2 AsCl₃ → 2 GaAs + 3 Cl₂

MOCVD reakcija trimetilgalijuma i arsina:

Ga(CH₃)₃ + AsH₃ → GaAs + 3 CH₄

Galijum i arsenik:

4 Ga + As₄ → 4 GaAs ili 2 Ga + As₂ → 2 GaAs

Reference

^ Li Q, Cheng T, Wang Y, Bryant SH (2010). „PubChem as a public resource for drug discovery.”. Drug Discov Today. 15 (23-24): 1052—7. PMID 20970519. doi:10.1016/j.drudis.2010.10.003. уреди
^ Evan E. Bolton; Yanli Wang; Paul A. Thiessen; Stephen H. Bryant (2008). „Chapter 12 PubChem: Integrated Platform of Small Molecules and Biological Activities”. Annual Reports in Computational Chemistry. 4: 217—241. doi:10.1016/S1574-1400(08)00012-1.
^ P. Patnaik (2003). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. стр. 310. ISBN 978-0-07-049439-8.
^ Refractive index of GaAs. Ioffe database
^ ^а ^б S. J. Moss, A. Ledwith (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 978-0-216-92005-7.
^ Lesley Smart, Elaine A. Moore (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 978-0-7487-7516-3.

Литература

Lesley Smart, Elaine A. Moore (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 978-0-7487-7516-3.
S. J. Moss, A. Ledwith (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 978-0-216-92005-7.
P. Patnaik (2003). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. стр. 310. ISBN 978-0-07-049439-8.